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“芯片表面微波磁场高分辨测量关键技术”项目科技成果评价会在京举行

发布时间:2020-01-15浏览次数:599

  1月12日,mobile365体育在线通信与网络技术国家工程研究中心杜关祥教授主持研发的“芯片表面微波磁场高分辨测量关键技术”在中国电子科学研究院举行项目科技成果评价会。评价会由中国民营科技促进会秘书长周迎主持召开;中国工程院院士刘永坚任评价专家委员会主任,中国工程院院士陆军、苏东林任副主任,中国电子科技集团有限公司首席科学家年夫顺、中国电子科学研究院研究员陈竹梅等10位专家任委员共同组成评价委员会。委托评价单位代表及嘉宾共30余人参加了评价会。

  杜关祥教授针对项目进展和学术贡献作了详细讲解和汇报。评价委员会认为,该科技成果面向芯片表面微波磁场测量要求,提出了扫描式和成像式两种测量新方法,研制了锥形光纤亚微米级金刚石NV色心探头和芯片表面微波磁场高分辨高速成像系统,实现了芯片表面微波磁场高分辨测量,对提高芯片设计和测试能力具有重要意义。项目技术复杂,难度很大,在锥形光纤亚微米级金刚石NV色心探头和芯片电磁近场的高分辨高速成像方法等方面有重大创新,其中锥形光纤亚微米级金刚石NV色心探头属于国际首创。

  项目成果已在多家企业应用,具有良好的经济效益,推广应用前景广阔。

 







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